Journal of Semiconductors

《Journal of Semiconductors》1980年創(chuàng)刊?，F(xiàn)為月刊，每期190頁左右，國內(nèi)外公開發(fā)行。每期均有英文目次，每篇中文論文均有英文摘要。主編為王守武院士。主要讀者對象是從事半導(dǎo)體科學(xué)研究、技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)及相關(guān)學(xué)科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。

《Journal of Semiconductors》報道半導(dǎo)體物理學(xué)、半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和相關(guān)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進展，內(nèi)容包括半導(dǎo)體超晶格和微結(jié)構(gòu)物理，半導(dǎo)體材料物理，包括量子點和量子線等材料在內(nèi)的新型半導(dǎo)體材料的生長及性質(zhì)測試，半導(dǎo)體器件物理，新型半導(dǎo)體器件，集成電路的CAD設(shè)計和研制，新工藝，半導(dǎo)體光電子器件和光電集成，與半導(dǎo)體器件相關(guān)的薄膜生長工藝，性質(zhì)和應(yīng)用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同，是以半導(dǎo)體和相關(guān)材料為中心的，從物理，材料，器件到應(yīng)用的，從研究到技術(shù)開發(fā)的，跨越物理和信息兩個學(xué)科的綜合性學(xué)術(shù)刊物,發(fā)表中、英文稿件。

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